Efecto Hall de Espn en bicapas metalicas

EDORNO F.; DI DONATO, A; NOTENSON T.; STEREN L.B.; LOPEZ PEDROSO, A.

Conferencia; Reunion anual de la Asociacion Argentina de Fisica; 2019

Los dispositivos electronicos convencionales usan la carga electrica de los electrones para transportar yalmacenar datos. Debido al constante crecimiento de la demanda de potencia, velocidad y procesamientode datos de las nuevas tecnologas, estos dispositivos estan llegando a su lmite tecnologico debido alcalentamiento por efecto Joule.Una posible solucion a este problema es el transporte de momento angular mediante corrientes de espnen contraste con las corrientes de carga, ya que tienen menos disipacion por efecto Joule [3] y por lo tanto,tienen menos restricciones. El campo que investiga la formacion y la manipulacion de estas corrientes deespn, as como tambien como combinarlas con las corrientes de carga, es denominado espintronica [6]. Enparticular la conversion de corrientes de carga en corrientes de espn va Efecto Hall de Espn (SHE por sussiglas en ingles) y viceversa va el Efecto Hall de Espn Inverso (ISHE) en conductores paramagneticospresenta excelentes perspectivas para la fabricacion de dispositivos, por ej. transistores de spin [5].Nuestro equipo se encuentra trabajando en el estudio de las caractersticas fundamentales del SHEy el ISHE en bicapas ferromagnetico/no-magnetico (FM/NM), en particular en este trabajo presentamosun estudio realizado sobre estructuras de tipo Co90Fe10=T a crecidas sobre MgO (100) y SiO2. Se realizaronestudios de la dependencia angular de la magnetorresistencia para dichas bicapas, analizando las contribucionesdel Efecto Hall de Espn y magnetoresistencia anisotropica