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El efecto de conmutación resistiva (o resistive switching) se define como el cambio reversible y no volátil de la resistencia eléctrica de un material ante la aplicación de estímulos eléctricos (normalmente pulsos de tensión o corriente). Este efecto se ha manifestado en una gran variedad de óxidos de metales de transición, tanto binarios como complejos, y constituye la base para el desarrollo de una nueva generación de memorias no volátiles (comúnmente llamadas memorias ReRAM, por Resistive Random Access Memories) en las que la información se codifica en los distintos valores de resistencia. Estos dispositivos ese fabrican usualmente cómo heteroestructuras metal/óxido aislante/metal. En muchos casos los cambios en la resistencia se localizan en la interfase óxido/metal donde, por ejemplo, la electromigración de las vacancias de oxígeno modula las barreras Schottky interfaciales. Una de las figuras de mérito de estos sistemas para su funcionamiento como memoria es la llamada ?ventana ON-OFF?, dada por el cociente entre los estados de alta y baja resistencia. Para maximizar esta ventana, se suelen fabricar dispositivos asimétricos, donde una interfaz es activa y concentra el cambio resistivo y la otra interfaz es óhmica e inactiva. Esto se logra utilizando distintos metales para cada electrodo. En este trabajo fabricamos y caracterizamos dispositivos de memoria resistiva basados en TiOx, con electrodos simétricos de Pt. Se observó que es posible simetrizar o asimetrizar la respuesta eléctrica mediante un control cuidadoso del protocolo de estímulo eléctrico aplicado. De esta forma, es posible activar o desactivar selectivamente cada interfaz memristiva óxido/metal. Estos resultados demuestran que es posible maximizar la ventana ON-OFF en dispositivos con electrodos de un mismo metal, simplificando el proceso de fabricación de los dispositivos.