Transporte semiclásico en palículas delgadas de MnAs

CHRISTIAN HELMAN; CATHERINE GOURDON; LAURA THEVENARD; MARINA TORTAROLO

Buenos Aires

Congreso; NANO 2019, el XIX Encuentro de superficies y materiales nanoestructurados; 2019

CNEA-INTI

El MnAs es un conductor magnético ampliamente estudiado desde principios del siglo XXI para aplicaciones en electrónica de espín. Usualmente se lo prepara es en films delgados epitaxialmente depositados sobre semiconductores, tales como el Si o el GaAs. Dada la buena epitaxia sobre dichos semiconductores, se pueden controlar las direcciones cristalinas en las cuales el material crece, dando lugar a estudios de transporte a lo largo de diferentes direcciones del cristal. Si bien la cantidad de direcciones es limitada, aún así permite tener un interesante mapeo de la superficie de Fermi de dicho conductor. Estudios teóricos del fenómeno de transporte en dicho material han estado basados en modelos fenomenológicos que no aportan una descripción exhaustiva del fenómeno, sin olvidar que no tienen en cuenta la importancia del efecto del magnetismo propio en el transporte electrónico. En este trabajo presentamos mediciones de transporte de films delgados de MnAs y las comparamos con cálculos de transporte obtenidos a partir de las superficies de Fermi en combinación con el formalismo de Boltzman. Nuestras mediciones de magneto transporte en función de temperatura (5K-300K) y campo magnético aplicado (0-9T) muestran la presencia de portadores. positivos y negativos[2]. En el caso de la muestra de MnAs crecida sobre GaAs(001), el transporte a altas temperaturas está dominado por portadores positivos, y por portadores negativos a bajas temperaturas. Esta transición en el signo de los portadores dominantes no se observa en las muestras crecidas sobre GaAs(111)[3] y es explicada por medio del estudio de las superficies de Fermi.