Estudio del acoplamiento magnetoeléctrico en films delgados de BaTiO3 / CaMnO3 mediante cálculos de primeros principios

MÓNICA GRAF; ANA MARÍA LLOIS; MARÍA ANDREA BARRAL; SOLANGE DI NAPOLI

Buenos Aires

Congreso; Nano2019; 2019

Uncamino posible en el desarrollo de materiales multiferroicos quepresenten acoplamiento magnetoelétrico fuerte es a través de lasrupturas de inversión temporal y de simetrı́a espacial que ocurrenen la interface de una heteroestructura formada por un materialmagnético y un material ferroeléctrico. El acoplamientomagnetoeléctrico en ese tipo de materiales podrı́a superar alobtenido en materiales multiferroicos monofásicos en varios órdenesde magnitud. Más aún, los componentes de dicha heteroestructurapueden ser elegidos entre un gran número de materiales, permitiendola optimización de diversas propiedades de interés.En este trabajo obtenemos, por medio de cálculos ab initio, laspropiedades estructurales, electrónicas y magnéticas deheteroestructuras de BaTiO3/CaMnO3 crecidassobre un sustrato de SrTiO3. Los efectos más importantesa tener en cuenta al estudiar estas propiedades en films delgados deheteroestructuras ferroeléctrico/magnético son la tensiónmecánica, la transferencia de carga y la reconstrucción de lainterface. Por lo tanto, estudiamos el efecto de la tensión ténsilinducida por el crecimiento epitaxial y del confinamiento sobre laspropiedades magnéticas de los films delgados de CaMnO3.También analizamos la influencia de la reversión de la polarizacióneléctrica del BaTiO3 en la estructura magnética delCaMnO3, analizando la transferencia de carga a través dela interface con sus diferentes combinaciones, a saber BaO-MnO2y TiO2-CaO.p { margin-bottom: 0.1in; line-height: 115%; }