Síntesis de nano cermets y fabricación de micro formas por asistencia de Impresión 3-D

A. AVALOS; M.R. ESQUIVEL; E. ZELAYA

CABA

Congreso; XIX Encuentro de Superficies y Materiales Nanoestructurados Nano2019; 2019

INTI - CNEA -UBA

La búsqueda de Los sistemas cerámico-metal(Cermet´s) basados en Ceria-Ni son utilizados ampliamente en la generaciónelectroquímica de energía y en la captura de gases contaminantes. Unatecnología factible de nano y micro-fabricación es a través de etapascombinadas de control de la nucleación y el crecimiento de cada componentemediante molienda y tratamientos térmicos. Esto es realizado a través del seguimientodel desarrollo de las propiedades estructurales usando técnicas de análisis insitu tales como Difracción de rayos X de alta temperatura (HT-XRD). Lacaracterización estructural fue realizada usando esta técnica y MicroscopíaElectrónica de Transmisión (TEM). Los equipos utilizados fueron unDifractómetro PAN´alytical Empyrean equipado con una celda de alta temperatura(Anton Paar HT-1200 K) y un TEM (Thermofisher TECNAI G20 operado a 200 kV). Seestudió el desarrollo de las estructuras de Ce* (La0.25Ce0.52Nd0.17Pr0.06)y Ce* (La0.25Ce0.52Nd0.17Pr0.06)-3Ni en N2 y Ar/O2 entre 25 y 800 °C. Se determinó mediante XRD y HT-XRD que laestructura Ce* presenta una transformación de fase de g-DHCP a β-FCC la cual ocurre en simultáneo conel refinamiento de la estructura de Ni. La presencia de O2 en elsistema afecta en forma preferencial al componente más reactivo, Ce*, lo quepromueve la formación de Ce*O2-x inhibiendo la generación de fasesintermetálicas en el sistema Ce*-Ni. Esta característica permite una generacióndiscrecional de estructuras cristalinas y de distintas micro-formas fabricadas porasistencia de Impresión 3-D. Las estructuras derivadas de los distintostratamientos térmicos fueron caracterizadas por Difracción de Rayos X ycuantificadas por el método Rietveld. Las formas obtenidas, por asistencia conimpresión 3-D, fueron caracterizadas por microscopía electrónica de barrido(FEI - INSPECT S50) en modos reflectivo y emisivo y completado con mapeos por análisiselemental por EDS (EDAX).