INVESTIGADORES
ROSENBERGER Mario Roberto
congresos y reuniones científicas
Título:
SIMULACIÓN POR ELEMENTOS FINITOS DEL CRECIMIENTO DEL CdZnTe POR EL MÉTODO DE BRIDGMAN.
Autor/es:
MARTINEZ NAGY, A.M.; MARIO ROBERTO ROSENBERGER; TRIGUBO, A.B.; SCHVEZOV, C. E.; WALSÖE DE RECA, N.E.
Lugar:
San Luis
Reunión:
Taller; III Reunión de la Asociación Argentina de Cristalografía; 2007
Resumen:
<!-- /* Style Definitions */ p.MsoNormal, li.MsoNormal, div.MsoNormal {mso-style-parent:""; margin:0cm; margin-bottom:.0001pt; mso-pagination:widow-orphan; font-size:12.0pt; font-family:"Times New Roman"; mso-fareast-font-family:"Times New Roman";} @page Section1 {size:612.0pt 792.0pt; margin:70.85pt 3.0cm 70.85pt 3.0cm; mso-header-margin:36.0pt; mso-footer-margin:36.0pt; mso-paper-source:0;} div.Section1 {page:Section1;} --> Se simula el crecimiento del Cd1-XZnXTe (0≤x≤0,1) monocristalino por el método Bridgman con el objeto de obtenerlo con la suficiente calidad estructural y eléctrica como para que sea utilizado en la fabricación de detectores de rayos X y γ y también como sustrato en el crecimiento epitaxial de materiales aptos para la detección de la radiación IR. Inicialmente sólo hay una fase líquida en el interior de la cápsula y se utiliza el modelo de “bloque único” para completar la nucleación de la fase sólida. Se realiza la simulación siguiendo el movimiento de la interfase (1365 K) hasta el alcanzar la solidificación completa del semiconductor. Se analiza la forma y la posición de la interfase sólido-líquido.