Optimización de la Emisión Excitónica UV de Nanoestructuras Core/Shell de ZnO/MgO Mediante Ataque por Plasma

VEGA, NADIA CELESTE; STEREN, LAURA BEATRIZ; ZELAYA, MARÍA PRISCILA; BONAPARTE, JUAN; TIRADO, MONICA CECILIA; DI DONATO, ANDRES; COMEDI, DAVID MARIO

CIUDAD AUTÓNOMA DE BUENOS AIRES

Encuentro; XIX Encuentro de Superficies y Materiales Nanoestructurados; 2019

CNEA-INTI

El ZnO es un semiconductor con propiedades excepcionales cuando se compara con otros semiconductores de banda prohibida directa, ya que exhibe una energía de ligadura excitónica de ~60meV y un ancho de banda prohibida en el UV de ~3.3 eV, haciendo de este material un gran candidato para aplicaciones en optoelectrónica (LED, láser, sensor UV y otras).Para optimizar la emisión UV en nanoestructuras de ZnO, es necesario controlar sus defectos superficiales que inhiben la recombinación excitónica. Para solucionar este inconveniente, una de las estrategias consiste en recubrir dichas nanoestructuras con MgO, cuya energía de banda prohibida es ~7.8eV, con lo que se logra pasivar de manera excelente los defectos en la superficie [1]. En este trabajo se presenta la fabricación de una juntura p-n basada en nanohilos (NHs) de ZnO tipo n crecidos sobre sustratos de Si tipo p, y su posterior recubrimiento conformal con MgO de dos espesores diferentes. Las muestras obtenidas fueron irradiadas en distintos tiempos de ataque con plasma de Ar+, en las mismas condiciones. La caracterización morfológica de los NHs se hizo mediante microscopia electrónica de barrido (SEM). Se efectuaron medidas de espectroscopia de fotoluminiscencia (FL) a temperatura ambiente en muestras sin ataque por plasma y también en las sometidas a distintos tiempos de ataque.