INVESTIGADORES
GIOVANETTI Lisandro Jose
congresos y reuniones científicas
Título:
Estudios TEM y GISAXS de la difusión controlada de Co en Si(100) para la formación de dominios nanoestructurados hexagonales y orientados de CoSi2.
Autor/es:
P.C. DOS SANTOS CLARO; GIOVANETTI, L.J.; G. KELLERMANN; A. F. CRAIEVICH; F. G. REQUEJO; ZHANG L.; MONTORO L. A.; RAMIREZ A. J.
Lugar:
Buenos Aires
Reunión:
Congreso; XI ENCUENTRO SUPERFICIES Y MATERIALES NANOESTRUCTURADOS 2011; 2011
Institución organizadora:
Centro Atómico Constituyentes
Resumen:
Debido a sus potenciales
aplicaciones para el desarrollo de micro- y nanodispositivos en electrónica,
existe un gran interés en el estudio de la formación, estructura y propiedades
de siliciuros metálicos. En particular, el CoSi2 ha sido ampliamente
estudiado por su baja resistencia eléctrica, apropiada para ser incorporado así
a dispositivos pequeños.
Se
presenta el estudio de la formación de nanoplacas de CoSi2 de unas
pocas capas atómicas de espesor, insertas en una matriz de Si(100) a través de
la difusión térmica a 750 °C de nanopartículas de Co soportadas en una película
de SiO2
depositada sobre el sustrato de silicio.
La
estructura de las placas de CoSi2 así formadas en el cristal de
Si(100) fue caracterizada en forma detallada empleando microscopía de
transmisión electrónica de alta resolución (HRTEM) y dispersión de rayos X a pequeños ángulos en
incidencia rasante (GISAXS). Dichos experimentos permitieron dilucidar la
orientación, morfología y naturaleza de los nanodominios de CoSi2 en
forma local y extendida, a lo largo de toda la superficie del cristal.
Los
resultados experimentales demuestran que se forman placas de pocas capas
atómicas de espesor de CoSi2 dentro de la matriz de Si con las
siguientes características: (i) espesor y forma hexagonal regulares, (ii) una
red cristalográfica cúbica coherente con la red de la matriz de Si, y (iii) un
crecimiento a lo largo de la familia de planos cristalinos {111} del silicio,
que origina cuatro orientaciones cristalográficas en el silicio.