Estudio de Correlaciones Angulares Perturbadas de mezclas Si-HfO2 sometidas a molido mecánico de alta energía

C. Y. CHAIN; SERGIO FERRARI; LAURA CRISTINA DAMONTE; JORGE ALBERTO MARTÍNEZ; C. E. RODRÍGUEZ TORRES; A. F. PASQUEVICH

Malargüe

Encuentro; Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2010

Asociación Física Argentina

El interes nanotecnológico en reducir las dimensiones de los dispositivos electrónicos, basados en Si y óxidos metálicos semiconductores, ha conducido a la necesidad de reemplazar al aislante SiO2 por óxidos de alta constante dieléctrica. Es deseable usar un material dielectrico estable sobre sustratos de silicio y que muestre con él una interface de calidad comparable a la del SiO2. El óxido de hafnio(HfO2) es un buen candidato para reemplazar al SiO2 debido a que es un material duro con una constante dieléctica. Se ha reportado que mezclas de HfO2 o ZrO2 con SiO2 exiben excelentes propiedades eléctricas y una alta estabilidad termodinámica en contacto con Si. Esto hace atractivo el estudio de las reacciones de estado sólido entre SiO2 y HfO2. En este trabajo presentamos un estudio combinado de Correlaciones Angulare Pertubadas (PAC) y difracción de rayos X (XRD) de sistemas HfO2+M(M: HfO2, Si, SiO2) sujetos a molienda mecánica. La principal motivación es analizar la incorporación de Si en el HfO2 con la molienda y los defectos creados por ella.