Estudio de masas efectivas en el SnS en presencia de defectos mediante cálculos DFT-DFPT

C. I. ZANDALAZINI; E. A. ALBANESI; J. L. NAVARRO SANCHEZ; P. BUITRAGO TORO; S. RODRIGUEZ SOTELO

Santa fe

Congreso; 104° Reunión de la Asociación de Física Argentina; 2019

Asociación de Física Argentina

El sulfuro de estaño (SnS) se presenta como un potencial absorbente fotovoltaico (FV),con alta absorcion optica (por encima de 1.3 eV) y, conductividad intrnseca de tipo p, conconcentraciones de portadores adecuadas para absorbentes FVs típicos (10E+15-10E+18 cm-3). Sin embargo, en las celdas solares basadas en SnS se ha logrado hasta ahora una baja eciencia (menos del 2%), por lo cual, el interes actual esta en mejorar su eciencia pero sin perder su capacidad absorbente. Se piensa que entre las metodos mas ecientes para ello estara el de lograr una baja concentracion de defectos en el material. Para investigar esa posibilidad, en este trabajo presentamos una modelizacion de la movilidad de portadores de carga en el SnS con la simetra cristalograca (Aem2) 39, con diferentes situaciones de defectos. En particular, se determino la influencia de los defectos puntuales y estructurales (vacancias y distorsion de red), sobre las masas efectivas del sistema. Los cálculos de estructura electrónica se realizaron en el marco de la teora del funcional densidad (DFT), implementado en el paquete ABINIT y, usando el metodo del proyector de ondas aumentadas (PAW). Para los cálculos de masas efectivas, se utilizó la teora de perturbacion de la funcional densidad (DFPT), que ofrece mayor precision en el cálculo de la movilidad de los portadores