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El rendimiento de los dispositivos de Silicio amorfo hidrogenado tipo P-I-N es fuertemente dependiente de la distribución energética de estados presentes en el gap. Ocasionalmente las fluctuaciones térmicas le proporcionan a los electrones atrapados en estados localizados la energía suciente para alcanzar la banda de conducción. El efecto Pool-Frenkel describe la forma en que la presencia de un campo eléctrico externo hace que el portador no necesite tanta energía térmica para alcanzar la banda de conducción, ya que parte de esa energía es proporcionada por la interacción eléctrica. De esta forma se modifica la descripción del transporte de los portadores libres, favoreciendo la captura, emisión y recombinación por estados cargados. El efecto Poole-Frenkel se implementó en nuestro código informático D-AMPS (Analysis of Microelectronic and Photonic Structures + new Developments), modificando las expresiones para la función de ocupación y la recombinación en el formalismo Shockley-Read-Hall (SRH). Las secciones ecaces de captura de los estados cargados fueron sustituidas por funciones exponencialmente dependientes de la raíz cuadrada de la intensidad del campo eléctrico aplicado, mientras que las secciones de captura de los estados neutros se dejaron sin alterar. Encontramos que, en condiciones de oscuridad, la corriente aumenta para valores bajos de tensión directa y disminuye ligeramente para valores altos, mientras que en condiciones de iluminación AM1.5 la corriente de cortocircuito decrece a la vez que el voltaje de circuito abierto se incrementa, dependiendo de la densidad de defectos adoptada en la capa P. Los perfiles de recombinación resultantes a tensión directa, muestran que el efecto se hace mas pequeño a mayores tensiones, debido al menor campo eléctrico interno. Se analiza cómo el espesor de la capa intrínseca determina el comportamiento de la corriente de cortocircuito, mientras que la capa P determina el valor de la tensión de circuito abierto.