IFIS - LITORAL   24734
INSTITUTO DE FISICA DEL LITORAL
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Influencia del contenido de hidrógeno en la cristalización inducida por níquel de silicio amorfo
Autor/es:
RUIZ, M.; KOPPRIO, L.; BUDINI, N.; SCHMIDT, J. A.; ARCE, R. D.
Lugar:
Tandil
Reunión:
Congreso; 99º Reunión Nacional de Física de la Asociación Física Argentina; 2014
Institución organizadora:
Asociación Física Argentina
Resumen:
En este trabajo se analiza el efecto de la concentración de hidrógeno (H) en el proceso de cristalización inducida por níquel (NIC) de películas delgadas de silicio amorfo hidrogenado intrínseco (a-Si:H) depositadas sobre vidrio. Estas películas se depositan por el método de deposición química desde la fase de vapor asistida por plasma (PECVD) y las diferentes concentraciones de hidrógeno se logran variando la temperatura del sustrato durante ladeposición. Se utilizan temperaturas en el rango comprendido entre 150 y 400 ºC, dando lugar a concentraciones de H entre 0 y 20 %. En un trabajo reciente [1] se analizó la influencia del H en la microestructura y en la cristalización directa del a-Si:H, por lo que en este trabajo se busca extender la investigación a la cristalización mediante la técnica NIC. El Ni es un metal de transición que, agregado en muy pequeñas cantidades, permite inducir el crecimiento de granos cristalinos en el a-Si:H de tamaño mucho mayor al que se obtiene al cristalizar el a-Si:H directamente en horno convencional. El Ni es depositado sobre las películas de a-Si:H por pulverizado catódico (sputtering) de un blanco de Ni, obteniéndose densidades superficiales del orden de 10^15 át./cm^2 (menor a una monocapa). Luego, la cristalización se realiza en horno convencional, a presión atmosférica bajo flujo de nitrógeno y a una temperatura de 580 ºC después de una etapa de deshidrogenación a 420 ºC. Los recocidos se llevan a cabo escalonadamente para ir siguiendo la evolución de la cristalización para los diferentes contenidos de H en las muestras. La cristalización es monitoreada luego de cada etapa mediante microscopía óptica, reflectanciaen el ultravioleta y difracción de rayos X. Además, se llevan a cabo mediciones de las características eléctricas de las muestras de partida y luego de las muestras completamente cristalizadas para determinar la aptitud de las películas para su uso en dispositivos fotovoltaicos.
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