Simulación de fotoconductividad persistente en óxidos semiconductores y determinación de distribución de trampas

S. C. REAL; M. TIRADO; D. COMEDI

Bahía Blanca

Congreso; III MACI 2011 - III Congreso de Matemática Aplicada, Computacional e Industrial; 2011

El fenómeno de fotoconductividad persistente es común en muchos semiconductores. Las trampas de portadores (electrones y huecos) en semiconductores son importantes pues las propiedades optoelectrónicas dependen de ellas. En primer lugar en este trabajo se trata el problema directo de simulación del efecto de fotoconductividad persistente debido a distribución de trampas de huecos del tipo gaussiana. Posteriormente se aplica en forma numérica un método para la resolución del problema inverso que consiste en la determinación de la densidad de trampas en óxidos semiconductores a partir de mediciones del decaimiento temporal de la fotoconductividad persistente. Esto se lleva a cabo usando un modelo propuesto en la literatura de Reemisión-Recombinación, con la ayuda de transformada de Laplace. MACI, 3(2011), 311-314