INVESTIGADORES
COMEDI David Mario
artículos
Título:
Propiedades optoelectrónicas de películas de germanio amorfo hidrogenado dopadas con In, Ga y Al
Autor/es:
F. FAJARDO; D. COMEDI; I. CHAMBOULEYRON; M. GARCÍA
Revista:
Revista Colombiana de Física
Referencias:
Año: 1996 vol. 28 p. 95 - 98
ISSN:
0120-2650
Resumen:
En este trabajo mostramos comparativamente que en películas delgadas de germanio amorfo hidrogenado (a-Ge:H) la variación del gap óptico, la conductividad a temperatura ambiente, la energía de activación y la densidad de defectos, presentan el mismo tipo de dependencia con la incorporación de impurezas.de In, Ga o Al en concentraciones típicas de dopaje (< 1%). Los átomos de In, Ga o Al producen en la red de a-Ge:H un dopaje efectivo tipo p. Análisis de las medidas de transporte sugieren que el Ga es el mejor dopante de la red de a-Ge:H.
