Propiedades optoelectrónicas de películas de germanio amorfo hidrogenado dopadas con Al,

F. FAJARDO; D. COMEDI; I. CHAMBOULEYRON

Revista Colombiana de Física

Año: 1995 vol. 27 p. 531 - 534

0120-2650

En este trabajo son presentados los efectos de la incorporación de Al en las propiedades optoelectrónicas de películas de germanio amorfo hidrogenado (a-Ge:H), producidas por la técnica de pulverización r.f. El cambio en el tipo de conductividad de n a p en las muestras más dopadas indica un efectivo dopado tipo-p de los átomos de Al en la red de a-Ge:H.