Captura electrónica simple desde átomos multielectrónicos: Secciones eficaces electrónicas diferenciales y totales.

P.N. ABUFAGER, A.E. MARTINEZ, P.D.FAINSTEIN AND R.D.RIVAROLA

Valparaiso Chile

Workshop; II Encuentro Sud-Americano de Colisiones Inelasticas en la Materia; 2004

     En este trabajo aplicamos el modelo CDW-EIS para blancos multielectrónicos [1,2] con el objetivo de estudiar las secciones eficaces diferenciales (SED) en los procesos de captura electrónica simple para el sistema H + + He y secciones eficaces totales (SET) para impacto de H+ sobre átomos de Ne y Ar. Para éstas últimas se analizarán en detalle las contribuciones provenientes de las diferentes capas del blanco. El modelo CDW-EIS fue desarrollado en el marco del modelo de electrón independiente, donde un dado electrón activo es capturado independientemente de los otros (los pasivos) los cuales permanecen congelados en su estado inicial. En consecuencia, el electrón activo evoluciona en un campo combinado del proyectil y del blanco residual. Se pueden realizar diferentes aproximaciones a fin de describir el potencial generado por el blanco residual. En la formulación previa del modelo CDW-EIS [1], éste fue representado por un potencial Hartree-Fock-Slater en el canal inicial. Sin embargo, el mismo fue aproximado por un potencial coulombiano efectivo en el canal final. A fin de evitar este tratamiento asimétrico de la interacción electrón activo - blanco residual, una nueva formulación del modelo CDW-EIS fue recientemente introducida (GCDW-EIS) [2]. En la aproximación GCDW-EIS, el potencial generado por el blanco residual es representado por un potencial esférico numérico tanto en el canal inicial como en el final. Se presentarán resultados teóricos obtenidos con ambas formulaciones de la aproximación CDW-EIS los cuales serán comparados con resultados experimentales existentes.   Referencias. [1] Martínez et al., Nucl. Instrum. Methods B 34, 32 (1988). [2] Abufager et al. J. Phys. B. 37, 817 (2004).