Caracterización Óptica de Películas Nanoestructuradas de ZnO Puro y Dopado con Aluminio

C.D. BOJORGE; H.R. CÁNEPA; J.A. BADÁN; E.A. DALCHIELE; N.E. WALSÖE DE RECA; R.E. MAROTTI

Tandil

Congreso; 99º Reunión de la Asociación Física Argentina; 2014

Universidad Nacional del Centro de la Provincia de Buenos Aires

El ZnO es un semiconductor de la familia II-VI que a temperatura ambiente presenta un band-gap directo de aproximadamente 3,3 eV y una energía de unión excitónica de 60 meV, que lo convierten en un material útil para aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos. En el presente trabajo se presentan los resultados de la caracterización óptica de películas de ZnO puro y dopado con Al (Al/ZnO = 5%), sintetizadas por sol-gel y depositadas por spin-coating sobre sustratos de SiO2. En ambos casos, se depositaron películas de 2, 4, 6 y 8 capas. A partir de las mediciones de Transmitancia se determinó la energía del band gap, se obtuvieron los gráficos de Absorbancia y se determinó el parámetro de Urbach.