Caracterización óptica de películas nanoestructuradas de ZnO puro y dopadas con Al

BOJORGE CD; CANEPA H.; DALCHIELE E; WALSOE DE RECA NE; MAROTTI RE

Otro; 99ª Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2014

El ZnO es un semiconductor de la familia II-VI que a temperatura ambiente presenta un band-gap directo de aproximadamente 3,3 eV y una energía de unión excitónica de 60 meV, que lo convierten en un material útil para aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos. En el presente trabajo se presentan los resultados de la caracterización de películas de ZnO puro y dopado con Al (Al/ZnO = 5%), sintetizadas por sol-gel y depositadas por spincoating sobre sustratos de SiO2. En ambos casos, se depositaron películas de 2, 4, 6 y 8 capas. A partir de las mediciones de Transmitancia se determinó la energía del band gap, se obtuvieron los gráficos de Absorbancia y se determinó el parámetro de Urbach