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Los monocristales de Cd1-xZnxTe (0<x<0,1) (CZT) se utilizan en la fabricación de detectores de radiación X y gamma y como sustratos para el crecimiento de películas epitaxiales de HgCdTe sensibles al IR. Son necesarios elementos de alta pureza para obtener un material con la suficiente calidad estructural y elé¦ctrica. Los lingotes monocristalinos de CZT se crecen por el mé¦todo de Bridgman a distintas velocidades (1,66 y 3,32 mm/h) con el objeto de encontrar las condiciones óptimas de crecimiento.Una vez crecidos los lingotes, se los orienta cristalograficamente por difracción de rayos-X en la dirección [111]. Se cortan obleas de 2 mm de espesor utilizando una sierra de hilo. Dichas obleas son pulidas mecanicamente con alúmina de 1 micrón y quimicamente con una solución de Br2 en etilenglicol al 1% V/V. Se efectuaron mediciones de transmisión óptica en seis lingotes crecidos de CZT a diferente velocidad o con distinta estequiometría. Se utilizó un espectrómetro infrarrojo (IR) de transformada de Fourier en el rango espectral de 1,25 a 25 micrones dado que brinda información importante acerca de los portadores libres y defectos tales como precipitados e inclusiones de Te y dislocaciones. Para el CdTe dopado al 4 % y 10 % de Zn la transmisión óptica varía entre un 60 y un 70 %, mientras que para el CdTe el rango está entre un 50 y un 55 %. Los lingotes dopados con Zn crecidos a menor velocidad son los de mejor calidad cristalina por tener a lo sumo tres granos de distinta orientación cristalográfica y permitir en consecuencia un mayor aprovechamiento del material disponible para su uso en dispositivos. Presentan además una mayor transmisión óptica.