UNIDEF 23986
UNIDAD DE INVESTIGACION Y DESARROLLO ESTRATEGICO PARA LA DEFENSA
Unidad Ejecutora - UE
artículos
Título:
Fotólisis IR de fenilsilano
Autor/es:
C. TORO SALAZAR; J. CODNIA; M. L. AZCÁRATE
Revista:
Anales AFA
Editorial:
Asociación Física Argentina
Referencias:
Lugar: Tandil; Año: 2016 vol. 27 p. 30 - 34
ISSN:
0327-358X
Resumen:
Las celdas solares y la microelectrónica utilizan películas de silicio. El fenilsilano ha resultado un precursor eficiente para la producción de películas delgadas de Si. En este trabajo se estudió la disociación multifotónica infraroja de fenilsilano en un jet molecular en el intervalo de fluencias entre 0,16 y 160 J/cm2 determinando los productos de la disociación en tiempo real por espectrometría de masas de tiempo de vuelo. Se encontró que en el intervalo de fluencias utilizado ocurre solamente la reacción de tres centros de eliminación de H2. Se determinó la cinética del radical fenilsilileno evidenciando que se descompone produciendo SiH, C2, y butadieno.
