ESTUDIO B3LYP/cc-pVTZ DEL CRECIMIENTO DE CLUSTERS CONSTITUIDOS POR Al Y N

V. FERRARESI CUROTTO; R. PIS DIEZ

Salta

Congreso; XVI Congreso Argentino de Físico-química y Química Inorgánica; 2009

Universidad Nacional de Salta - Asociación Argentina de Investigación en Físicoquimica y Química Inorgánica

El AlN es un semiconductor III/V y tiene una importancia creciente debido a su potencial aplicación en la preparación de películas delgadas para dispositivos electrónicos. El interés en el estudio de los clusters de este material se basa en que la aplicación en películas delgadas para fabricar dispositivos electrónicos requiere un entendimiento profundo de las propiedades a nivel atómico. En este trabajo se informan los resultados obtenidos para clusters constituidos por Al yN, hasta un total de 6 átomos, siguiendo el camino de crecimiento de los mismos usando la energía de enlace como criterio de selección. Los clusters de Al-N fueron estudiados usando las herramientas de la teoría del funcional de la densidad (DFT) [1-3]; usando el funcional híbrido de intercambio y correlación B3LYP [4,5], con funciones base cc-pVTZ [6,7], como se encuentraimplementado en el paquete Gaussian 03 [8]. Las geometrías de equilibrio de los clusters se obtuvieron a partir de geometrías iniciales lineales y angulares, empezando por el dímero Al-N y agregando átomos de Al ó N, siguiendo el camino de disminución de la energía de interacción por fragmento. Cálculos de frecuencia fueron realizados en todos los casos para verificar la calidad delos puntos críticos, resultando reales todas las frecuencias calculadas. Propiedades estructurales, energías de atomización, densidades de estado (DOS, density of states), y poblaciones de solapamiento (COOP, cristal orbital overlap population), se reportan para los clusters más estables encontrados.