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El ZnO es un semiconductor binario que cristalizaen una estructura tipo Wurzita (P63mc)cuando se lo hace crecer sobre sustratos con estructura cúbica,. En este últimotiempo la comunidad científica ha prestado interés a este material debido a sunaturaleza semiconductora y sus potenciales aplicaciones en optoelectrónica.Como en cualquier otro material semiconductor hay presentes vacantes yparticularmente vacantes con estado de carga. Por esta razón se realiza un estudioteórico de vacancias de oxígeno (VO) con diferentes estados de carga q (q: 0,+2). Los cálculos se realizan con el paquete VASP dentro del marco de la teoríaDFT. La VO se genera removiendo un átomo de O del centro de la súper-celda. Paralograr diferentes concentraciones de vacancias se utilizan dos súper-celdas:una de 36 átomos (Zn18O18, 2.8%) y otra de 72 (Zn36O36,1.4%). Los resultados muestran que la presencia de VOq produce unareducción del volumen en la estructura; en el caso de VO0 la mismaes de 2.35% (de42.49Å3 a 41.49Å3)y en la VO2+ la reducción es de 2.28 % (de 42.49Å3 a41.52Å3). Esto se debe a una ligera contracción en los parámetros dered de la celda. Por otro lado se obtuvo momento magnético nulo tanto en laestructura perfecta como con defecto. Respecto a la energía de formación (Eform)se encontró que la misma no presenta diferencia respecto a la concentración devacancias. La banda prohibida aumenta en el caso de VO0 (de 1.73eV a 2.32 eV) mientras que VO2+ presenta unareducción (de 1.73 eV a 1.21 eV). En todos los casos el comportamiento del ZnOperfecto y con vacancia de oxígeno (neutra o positiva) es como el de un semiconductortipo p.