Estudio teórico (DFT + U) de las propiedades electrónicas de TiO2 estructura anatasa en presencia de vacancias de oxígeno

C.I.N. MORGADE; G.F. CABEZA; N.J. CASTELLANI

Santa Fe

Congreso; XXIII Congreso Iberoamericano de Catálisis; 2012

Sociedad Argentina de Catálisis

El estudio teórico de vacancias en la titania es de importancia ya que han sido reportadas importantes mejoras que las vacancias de oxígeno aportan a la fotocatálisis. Los cálculos se realizaron empleando el código VASP dentro del formalismo de la Teoría de la Funcional Densidad, con la inclusión del coeficiente de Hubbard (DFT+U). El sistema se modelizó utilizando una celda (3x3x1) para representar las vacancias de O. Como resultado de un trabajo de rigurosa optimización de la estructura con diferentes valores de U, encontramos estados electrónicos por debajo de la banda de conducción atribuibles a los electrones d del Ti+3 que se formarían en respuesta a las vacancias de O, y el nivel de Fermi se corre hacia el medio del band gap (de 2.81eV).