Comparación de la adsorción de ciclopenteno sobre Ge(001)-2x1 y Si(001)-2x1

ESTEFANÍA GERMÁN; IGNACIO LOPEZ-CORRAL; HERNAN SEITZ; GRACIELA BRIZUELA

Salta

Congreso; XVII Congreso Argentino de Catálisis y VI Congreso de Catálisis del Mercosur; 2011

En este trabajo se analizó la geometría y las interacciones químicas de c-C5H8 adsorbido en dos superficies semiconductoras: Ge(001)-2x1 y Si(001)-2x1, utilizando cálculos teóricos del funcional de la densidad (DFT). Para estudiar los cambios en las interacciones atómicas y orbitales correspondientes a los sistemas se usó un modelo de slab. Se examinaron los valores de población de solapamiento para enlaces específicos durante la adsorción. Se consideraron dos casos para cada superficie semiconductora, la adsorción de ciclopenteno sobre dímeros de la superficie y sobre vacancias de dímeros (DV). El ciclopenteno se enlaza más fuertemente a la superficie de silicio que a la superficie de germanio. También se computó la densidad de estados (DOS) y la población de solapamiento (OPDOS) correspondiente a los enlaces C-C, C-Ge, C-Si, C-H, Ge-Ge y Si-Si. Durante la adsorción la contribución principal se debe al doble enlace C=C para todos los casos, y en el caso de la adsorción sobre vacancias de dímeros al C unido al C olefínico y su átomo de H, tanto para el germanio como para el silicio. También se estudió la contribución orbital para la adsorción sobre Ge y Si.