Análisis teórico para predecir la degradación del máximo punto de potencia en celdas solares de GaAs bajo radiación espacial

CAPPELLETTI, MARCELO; CASAS, GUILLERMO; CÉDOLA, A.P.; PELTZER Y BLANCA, EITEL L.

San Rafael, Mendoza

Workshop; XXXVIII Reunión de Trabajo de la Asociación Argentina de Energías Renovables y Ambiente (ASADES 2015); 2015

Asociación Argentina de Energías Renovables y Ambiente (ASADES) y Universidad Tecnológica Nacional Facultad Regional San Rafael (UTN FRSR)

La resistencia a la radiación en las celdas solares de triple juntura (3J) de InGaP/GaAs/Ge es limitada por la sub-celda central de GaAs. En este trabajo, ha sido analizada por medio de simulaciones numéricas, la degradación del comportamiento eléctrico de diferentes sub-celdas de GaAs, tipo n y tipo p, irradiadas con electrones de un amplio rango de energías. Basados en el método de dosis de daño por desplazamiento conjuntamente con los modelos de los tiempos de vida de recombinación radiativa y no radiativa y la tasa de remoción de portadores, han sido investigados los efectos de las concentraciones de portadores en las regiones base y emisor de cada dispositivo sobre el máximo punto de potencia. Los resultados obtenidos son útiles para predecir la tolerancia a la radiación de una dada celda solar con concentraciones de portadores en las regiones base y emisor bien conocidas.