Estudio de Dispositivos Semiconductores Expuestos a la Radiación Espacial

GUSTAVO DOMINGO YAGÜEZ; DIEGO VILLARRAZA; MARCELO ANGEL CAPPELLETTI; EITEL LEOPOLDO PELTZER Y BLANCÁ

San Carlos de Bariloche, Río Negro

Workshop; 88ª Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2003

Asociación Física Argentina

El trabajo presente se basa en el estudio de dispositivos semiconductores sometidos a la radiaci´on espacial, tal como a la que se exponen los sat´elites girando alrededor de nuestro planeta. La radiaci´on en cuesti´on comprende part´ıculas atrapadas en los cinturones de Van Allen y las que provienen del Sol y del cosmos. Estas part´ıculas son: neutrones, electrones, protones e iones m´as pesados. Para describir el comportamiento de los dispositivos (diodos PIN y transistores bipolares) se resolver´an num´ericamente las ecuaciones de Poisson y de continuidad en forma acoplada. Los efectos causados por la radiaci´on que se tienen en cuenta son los da?nos por desplazamiento y por ionizaci´on. El primero produce una disminuci´on de los tiempos de vida de los portadores y el segundo produce un aumento de la densidad de portadores en las proximidades del camino que la part´ıcula incidente (cargada) realiza. Algunos resultados obtenidos fueron contrastados con mediciones experimentales corroborando el modelo utilizado.