Modelo numérico para la optimización de fotodiodos bajo radiación espacial

MARCELO ANGEL CAPPELLETTI; ARIEL PABLO CÉDOLA; EITEL LEOPOLDO PELTZER Y BLANCÁ

Buenos Aires

Workshop; First International Workshop on Dependable Circuit Design (DECIDE 2007); 2007

Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI), Argentina

En el presente trabajo son presentados resultados obtenidos por medio de un código de simulación propio, el cual permite comprender y predecir el comportamiento de dispositivos semiconductores bajo diferentes condiciones de operación. En particular, se estudiaron fotodiodos PIN de silicio sujetos a iluminación y a radiación de protones de 10 MeV, con el propósito de analizar los daños por desplazamiento inducidos por radiación sobre los dispositivos cuando operan en un ambiente espacial. Todos los fotodiodos considerados tienen las mismas características, pero con diferentes longitudes de la región intrínseca y región p, lo cual ha permitido establecer tendencias en el comportamiento de estos dispositivos en función de dichas longitudes. El principal resultado mostrado es la determinación de valores umbrales: Intrinsic RegionThickness Threshold (IRTT) y Light Intensity Threshold (LIT). Estos parámetros dan los valores para los cuales, los daños por radiación de protones son minimizados. Los valores de IRTT y LIT, muestran la importancia de la relación entre la longitud de la región intrínseca con respecto a la longitud total del fotodiodo y a la intensidad lumínica, respectivamente.