Comportamiento de Fotodiodos PIN de Silicio bajo Radiación Espacial

MARCELO ANGEL CAPPELLETTI; ARIEL PABLO CÉDOLA; EITEL LEOPOLDO PELTZER Y BLANCÁ

Buenos Aires

Encuentro; Primer Encuentro de Jóvenes Investigadores en Ciencia y Tecnología de Materiales; 2006

Asoc. Argentina de Materiales - SAM y el Inst. de Tecnología Prof. Jorge A. Sábato, Centro Atómico Constituyentes CNEA

El estudio de los materiales y sus propiedades microscópicas conjuntamente con el estudio de los dispositivos por medio de su simulación y modelado, han llevado a desarrollos electrónicos impensados poco tiempo atrás. Este tipo de esquema de cálculo basado en desarrollos teóricos se convierte en una herramienta fundamental para el diseño y la generación de nuevos dispositivos, permitiendo un conocimiento muy importante previo a la experimentación. El presente trabajo apunta al estudio de los dispositivos electrónicos mediante simulación y modelado de los procesos físicos que en ellos ocurren, a partir de la resolución de las ecuaciones de Poisson y de continuidad para electrones y huecos, con la finalidad de poder determinar sus propiedades de funcionamiento y la respuesta frente a diferentes tipos de excitaciones, en especial: radiación solar, donde se tienen en cuenta partículas tales como protones, neutrones y electrones. En particular, hemos estudiado fotodiodos PIN (p-intrínseco-n) basados en la tecnología del silicio como semiconductor base, sometidos a la radiación espacial, destinados para operar en satélites en Orbita Terrestre Baja (LEO), aproximadamente a 600 km. de altitud. Mostraremos como son afectadas las principales características de estos diodos, con la radiación incidente.