Espectroscopía Raman en películas de Ge-Se y Ge-Se-Ag obtenidas por ablación láser y fotodifusión

MARIA ANDREA UREÑA; ERAZU, M.; ROCCA, J.; FONTANA, M.; PRADEL, A.; ARCONDO, B.; PIARRISTEGUY, A.

Salta

Congreso; 92 Reunion Anual de la Asociacion Física Argentina. AFA 2007; 2007

Vidrios calcogenuros del sistema GexSe1−x con el agregado de Ag han sido usados en trabajos recientes en forma de películas delgadas para la construcción de memorias no-volátiles. Siguiendo esta idea, se fabricaron películas binarias y ternarias por ablación láser. Las películas binarias se doparon con Ag mediante fotodifusión. Se analizaron las películas binarias y ternarias mediante espectroscopía Raman y se compararon las películas binarias, antes y después de la fotodifusión, y las películas ternarias obtenidas por los dos procedimientos. Los resultados obtenidos son comparados con los de otros autores. En las películas binarias se observa el espectro Raman carácterístico de las unidades estructurales de la red de estos vidrios: tetraedros GeSe4/2 unidos por sus aristas y/o esquinas (configuraciones ES en 215 cm−1 y CS en 200 cm−1) como así también de las cadenas de Se-Se (configuración CM en 250 cm−1). No se observa el pico correspondiente a tetraedros con caras compartidas (configuración FS en 180 cm−1), lo que se atribuye a la alta concentración de Se de nuestras muestras (x < 0,3 at.). La comparación de películas ternarias y binarias muestra una significativa reducción del pico correspondiente a ES con el agregado de Ag acompañada por una reducción del pico asociado al CM, lo que muestra que el efecto del átomo de Ag en la estructura consiste en desarticular los tetraedros y cortar las cadenas de Se. Adicionalmente se observan fuertes efectos de relajación en las muestras ternarias obtenidas por fotodifusión.