Análisis de la respuesta I-V de microdispositivos de memoria basados en películas delgadas de Sb70Te30

ROCCA, J.; GOLMAR, F.; MARIA ANDREA UREÑA; FONTANA, M.

Buenos Aires

Jornada; 2das Jiafes 2das Jornadas interdisciplinarias de aplicaciones de Fenómenos de Superficie; 2023

El funcionamiento de memorias electrónicas no volátiles fabricadas a partir de películas delgadas de vidrios calcogenuros se basa en su capacidad de cambiar reversiblemente su estructura entre estados amorfo y cristalino (phase change materials), mediante estímulos eléctricos, con un cambio significativo en su resistencia eléctrica. Su aplicación a dispositivos requiere dimensiones reducidas debido a que ambos procesos de cambio de fase dependen de la energía por unidad de volumen a entregar al material sensible y también debido a la escala de la electrónica que los integraría.En trabajos previos, observamos la disminución abrupta de la resistencia de películas delgadas de composición base Sb70Te30 (y dopadas con Sn o Ag) depositadas por ablación láser, cuando se mide durante calentamientos a bajas velocidades. Además las experiencias de calorimetría diferencial de barrido y de difracción de rayos X, sobre muestras sintetizadas con los mismos métodos, permiten asociar el cambio en la resistividad con el proceso de cristalización.En este trabajo, usando técnicas de litografı́a, deposición de pelı́culas delgadas y ataque por vı́a húmeda, se construyeron dispositivos micrométricos de superficie rectangular con Sb70Te30 como material sensible, depositado sobre electrodos coplanares con separación L (2-16 µm) y ancho W (2-64 µm). En las curvas I-V, identificamos una transformación desde el estado original a uno de menor resistencia, atribuible a la cristalización, pero luego no logramos inducir otra que lo revierta a un estado de mayor resistencia. Analizamos estos resultados en función de las dimensiones de los dispositivos.