Efecto de un par de hidrógenos intersticiales en la estabilidad de una falla de apilamiento en Fe fcc

LILIAN MORO,; MARIA ESTELA PRONSATO; GRACIELA BRIZUELA,; ALFREDO JUAN,

Santiago de Chile

Congreso; CONAMET/SAM-Simposio Materia 2002; 2002

En este trabajo se presenta el estudio del enlace H ? Fe mediante cálculos cualitativos de la estructura electrónica usando el método de orbitales moleculares de superposición atómica y deslocalización electrónica (ASED ? MO). Se modela un cluster de Fe FCC donde se introduce una falla de apilamiento, estudiando los cambios electrónicos producidos cuando se ubican dos átomos de hidrógeno en la zona próxima a la falla. El sólido se representa con un cluster constituido por 180 átomos distribuidos en cinco capas ubicando la zona de la falla entre la segunda y tercera capa. Para la ubicación de los átomos instersticiales se tienen en cuenta los resultados publicados en trabajos anteriores. Se determina que la presencia del enlace H ? Fe disminuye la resistencia de los enlaces Fe ? Fe, pero este efecto solo se evidencia en los átomos próximos a los átomos intersticiales. El estudio de los orbitales que enlazan a los átomos indican que en la unión H ? Fe participa principalmente los orbitales 4s del Fe y los 1s del hidrógeno. El análisis de la población de orbitales revela cierta asociación H ? H la cual es más importante que la obtenida cuando el par de átomos se ubican en el cluster de Fe próximos a una dislocación o a una vacancia.