Estructura electrónica y ubicación de átomos de H en hierro bcc con dislocación de borde

MARIA ESTELA PRONSATO; LILIAN MORO,; GRACIELA BRIZUELA,; ALFREDO JUAN,

Neuquen

Congreso; Jornadas SAM 2000 - IV Coloquio Latinoamericano de Fractura y Fatiga; 2000

intersticial está ubicado próximo a una dislocación de borde, utilizando el método de aproximación semiempírica ASED ?MO (superposición atómica y deslocalización electrónica). Los cálculos se realizaron modelando un cluster de 207 átomos de hierro BCC, simulando la matriz metálica y conteniendo una dislocación de borde (100). En regiones alejadas del núcleo de la dislocación, la interacción se ha estudiado con los fundamentos de la mecánica del continuo, formalismo que describe la energía elástica causada por la interacción entre el campo de tensión del defecto y el de deformación del átomo intersticial con el que interactúa. Pero en regiones próximas al núcleo de la misma, hay un aumento del estado de tensión que produce una variación de la energía de enlace, presentando esta zona una singularidad que dificulta su estudio por la mecánica del continuo, debiendo entonces realizar los cálculos basándonos en un tratamiento desde la perspectiva atomística. El estudio de la estructura electrónica se realizó utilizando curvas de densidad de estado, que ponen en evidencia el incremento de interacción en el núcleo de la dislocación entre el hierro y el hidrógeno, demostrando que esa zona de la dislocación es un sitio favorable para la acumulación del H.