Un estudio teórico acerca del patrón de crecimiento de clusters constituídos por Al y N

V. FERRARESI CUROTTO; REINALDO PIS DIEZ

Tucumán

Congreso; XXVII Congreso Argentino de Química; 2008

El AlN es un semiconductor III/V y tiene una importancia creciente debido a su potencial aplicación en la preparación de películas delgadas para dispositivos electrónicos [1]. Debido a que la aplicación en películas delgadas para fabricar dispositivos electrónicos requiere un entendimiento profundo de las propiedades de clusters a nivel atómico, varios trabajos han sido realizados para lograrlo [2-9].En este trabajo se informan los resultados obtenidos para clusters constituidos por Al y N, hasta un total de 6 átomos, siguiendo el camino de crecimiento de los mismos usando la energía de atomización como criterio de selección. Propiedades estructurales y energías de atomización se reportan para los clusters más estables encontrados.No se han encontrado, hasta el momento, estudios de caminos de crecimiento de clusters de Al-N reportados en la literatura.