Mecanismo memristivo en sistemas basados en TaOx

M.J. SÁNCHEZ; M. AGUIRRE; S.BENGIÓ; D. RUBI; C. FERREYRA; C.ACHA

Beriso. Pcia Bs. As.

Encuentro; XVIII Encuentro de Superficies y Materiales Nanoestructurados Y-TEC NANO 2018; 2018

YPF-CONICET-CNEA

Las memorias RRAM (por Resistive Random Access Memories) son una de las grandes candidatas a constituir la próxima generación de memorias no volátiles. Estos dispositivos basan su funcionamiento en el llamado efecto de conmutación resistiva, que consiste en cambios permanentes de la resistencia eléctrica de sistemas metal/óxido/metal ante la aplicación de estrés eléctrico externo. De entre los materiales con potencial aplicación en dispositivos RRAM sobresale el TaOx, debido a sus excelentes prestaciones como memoria, lo que incluye alta durabilidad, buen potencial de miniaturización, bajo consumo y velocidades de conmutación menores al nanosegundo. Los mecanismos de memoria en sistemas basados en TaOx se asocian usualmente a la formación y ruptura de filamentos conductores, fuertemente relacionados con la existencia de vacancias de oxígeno.En este trabajo reportamos resultados obtenidos en sistemas Pt/TaO1/TaO2/Pt, donde TaO1 y TaO2 fueron crecidos por ablación láser a diferentes presiones de oxígeno. Mediante caracterización espectroscópica se determinaron las fases de óxidos presentes en ambos casos. Encontramos efectos de conmutación resistiva altamente estables y reproducibles. Se determinó que el mecanismo dominante se asocia a un efecto de interfaz, relacionado con la modulación de la altura de la barrera Schottky -formada en las interfases entre el óxido y el Pt- ante la migración de vacancias de oxígeno.