DISPOSITIVOS MEMRISTIVOS DE MANGANITA SOBRE SILICIO: OPTIMIZACIÓN, MODELADO DE LA RESPUESTA ELÉCTRICA Y CAPACIDAD AUTOREPARANTE

P. GRANEL; P. LEVY; D. RUBI; C. ACHA; W. R. ACEVEDO; F. GOLMAR

C.A.B.A.

Encuentro; XVI Encuentro de Superficies y Materiales Nanoestructurados; 2016

Comité Nacional del evento

El efecto de conmutación resistiva se define como el cambio reversible y no volátil de la resistencia eléctrica de un material ante la aplicación de estímulos eléctricos. Este efecto constituye la base para el desarrollo de una nueva generación de memorias no volátiles. En este trabajo crecimos por ablación láser y caracterizamos dispositivos de memoria resistiva basados en films delgados de la manganita La1/3Ca2/3MnO3 sobre Si. Encontramos que el uso de corriente eléctrica como estímulo permite estabilizar un estado de resistencia intermedia adicional a los estados normales de alta y baja resistencia. En base al análisis de las curvas I-V más experimentos de espectroscopia de impedancias, proponemos un escenario donde estos tres estados se asocian a la coexistencia de un filamento metálico más la oxidación/reducción de la capa de SiOx nativo presente en la interfaz Si/manganita. También encontramos que es posible regenerar los dispositivos luego de su ruptura permanente mediante un tratamiento térmico a bajas temperaturas. Se discute la posibilidad de aprovechar este efecto para el diseño de dispositivos con capacidad de autoreparación.