Construcción y caracterización de memorias resistivas basadas en TiO2

ABIZANO, I.; PERALTA, C.; ACHA, C.; KLEIMAN, A.; MARQUEZ, A; VEGA, D.

Congreso; XVII Encuentro de Superficies y Materiales Nanoestructurados ? NANO 2017; 2017

Se construyeron memorias resistivas de tipo condensador en base a TiO2 depositado sobre Ti mediante la técnica de descargas por arco catódico, mientras que los electrodos superiores de Pt se depositaron por sputtering. Se emplearon dos espesores para la capa de TiO2, de 50nm y 120nm aproximadamente. El crecimiento del TiO2 se realizó con temperaturas de 200°C, 400°C y 500°C, consiguiendo así las fases amorfa, anatasa y rutilo respectivamente. Los films de Ti-TiO2 fueron caracterizados mediante microscopía SEM y difracción de rayos X.