Memoria, l¨®gica y neuronas: las promesas que traen los memristors

P. LEVY

Buenos Aires, Ciudad Universitaria

Seminario; Seminarios del Departamento de F¨¬sica, FCEN, UBA; 2010

Departamento de F¨ªsica, FCEN, UBA

Memoria, l¨®gica y neuronas: las promesas que traen los memristors P. Levy Grupo Materia Condensada, GIA y INN, GAIANN, CAC, CNEA, and CONICET Gral Paz 1499 (1650) San Mart¨ªn, Pcia. Buenos Aires, Argentina.       Estudiamos interfaces metal ¨C ¨®xido como prototipos para dispositivos de memoria no vol¨¢til, los que registran informaci¨®n en diferentes estados resistivos, constituyendo el cuarto elemento pasivo de circuitos, llamado ¡°memristor¡±. Este tipo de dispositivos es uno de los varios candidatos a reemplazar a las actuales memorias RRAM. Adicionalmente, los memristors permiten realizar operaciones l¨®gicas, y han sido presentados como sistema modelo para el estudio de sinapsis.   Presentamos resultados obtenidos sobre una interfaz de manganita ¨C Ag sometida a diferentes protocolos de pulsado el¨¦ctrico a temperatura ambiente. Las mediciones ponen en evidencia la conmutaci¨®n entre estados de alta y baja resistencia. Se observa que tanto la resistencia remanente como la resistencia din¨¢mica de los electrodos pulsados poseen caracter¨ªsticas el¨¦ctricas complementarias. Este comportamiento puede ser entendido en t¨¦rminos del movimiento de vacancias de oxigeno provenientes del volumen del material, que se desplazan desde y hacia la interfaz. Usando un modelo fenomenol¨®gico, elaboramos sobre los mecanismos involucrados.       Referencias a nuestro trabajo:   ¡±Simultaneous electric and magnetic field induced non-volatile memory¡±, M.Quintero, A.G.Leyva and P.Levy, Appl. Phys. Lett. 86, 242102 (2005). ¡°Evidences of a consolute critical point in the Phase Separation regime of La5/8-yPryCa3/8MnO3 single crystals¡±, G. Garbarino, C. Acha, P. Levy, T. Y. Koo and S-W.Cheong,  Phys.Rev. B 74-R100401 (2006). ¡°Mechanism of Electric-Pulse-Induced Resistance Switching in Manganites¡±, M.Quintero, P.Levy, A.G. Leyva, and M.J.Rozenberg, Phys. Rev.Lett. 98, 116601 (2007). "Non-volatile resistive switching in the dielectric superconductor YBa2Cu3O7−¦Ä ", C. Acha and M. J. Rozenberg, J. Phys.: Condens. Matter 21 045702 (2009). ¡¤        ¡°Mechanism for bipolar resistive switching in transition metal oxides¡±, M.Rozenberg, M.J.Sanchez, R. Weht, C. Acha, F.GMarlasca and P. Levy, Phys.Rev. B 81,115101 (2010). ¡¤        ¡°Hysteresis Switching Loops in Ag manganite memristive interfaces¡±, N.Ghenzi, M.J.S¨¢nchez, F.GMarlasca, P. Levy and M.Rozenberg, J.Appl.Phys,107,093719 (2010).