Sistemas heteroepitaxiales

JOSÉ LUIS IGUAIN

Salta, Argentina

Congreso; AFA; 2007

Existen situaciones experimentales en las que átomos deuna especie determinada son depositados sobre una super-ficie compuesta por átomos de una segunda especie. Si laspropiedades cristalinas de ambos materiales, analizados enforma separada, son similares (com por ej. silicio y germanio), para determinados valores de los parametros de control, se encuentra que la especie depositada se relaja sobre la superficie dando lugar a un conjunto de islas de átomos. Aunque existe la sospecha de que dichas estructuras podrían atribuirse al desacuerdo de malla de los dos cristales y a las interacciones entre los distintos pares de átomos, esta no ha sido, hasta el momento, soportada por argumentos teóricos suficientemente fuertes. En este trabajo introduciremos un modelo heteroepitaxial bidimensional de deposición y relajación, y mostraremos resultados numéricos sobre las características de forma y estabilidad de las estructuras generadas de acuerdo con el mismo.