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El estudio de procesos de adsorción sobre sólidos cristalinos semiconductores ha sido de suma importancia y ha contribuido significativamente en diferentes áreas, entre ellas pueden destacarse las aplicaciones en tecnología y en catálisis [1,2]. Para ello resulta fundamental interpretar tanto la estructura cristalina como la electrónica del sustrato, de la especie adsorbiba y de la interfase formada. En este trabajo se muestra la síntesis por métodos no-convencionales, estructura cristalina y electrónica de (AgBi)1/2MoO4 y su aplicación en la adsorción de fenacil-benzotriazol El óxido mixto (AgBi)1/2MoO4 fue sintetizado mediante precipitación asistida por irradiación de microondas. La estructura cristalina pertenece a la familia estructura scheelita (CaWO4). En el sitio cristalográfico A se encuentran los iones Ag+ y Bi3+, coordinados por 8 iones O2- formando cubos distorsionados unidos por las aristas. La distribución de estos iones es de manera no-ordenada aunque existe una diferencia de 28 kJ/mol entre las configuraciones Bi-O-Bi-O-Ag-O-Ag y Bi-O-Ag-O-Bi-O-Ag, siendo más estable la configuración alternada de iones. El gráfico de densidad de estados obtenido mediante cálculos a nivel DFT indica que es un semiconductor con un band-gap de 1,07 eV. La banda de valencia está compuesta principalmente por los electrones de los orbitales 4d de Ag+, mientras que la banda de conducción está compuesta principalmente por los orbitales virtuales de Mo6+. La geometría de adsorción de la cara 010 de este óxido con fenacil-benzotriazol involucra la interacción de los iones Ag+ con los átomos de nitrógeno del fenacil-benzotriazol. La energética indica que es una adsorción química exotérmica de 108 kJ/mol. El gráfico de densidad de estados de la interfase indica la formación de estados enlazantes en la banda de valencia generando un band gap levemente menor a 1 eV.