Crecimiento heteroepitaxial con intermezclado a bajo cubrimiento

K. I. MAZZITELLO; L. M. DELGADO; J. L. IGUAIN

San Rafael

Congreso; XIII Congreso Regional de Física Estadística y Aplicaciones a la Materia Condensada; 2015

UTN Facultad regional San Rafael, Mendoza

Investigamos la influencia del intermezclado en ladinámica de crecimiento heteroepitaxial, a través deun modelo de islas puntuales en dos dimensiones,que debería constituir una buena aproximación a ba-jos cubrimientos. En este modelo, cada átomo depo-sitado (tipo B) difunde sobre la superficie con unaconstante de difusión DB y puede experimentar unintercambio con algún átomo del substrato (tipo A)a una tasa constante. Cuando ocurre, este intercam-bio es irreversible, y los átomos que emergen desdeel substrato difunden con una constante de difusiónDA. Cuando dos átomos cualesquiera se encuentransobre la superficie, nuclean una isla puntual. Las is-las no difunden ni se disgregan y crecen de manerairreversible a través de la captura de otros átomos.Encontramos que la densidad de islas se halla go-bernada por la difusión de una de las especies a bajatemperatura, y por la de la otra a alta temperatu-ra. Mostramos que no sólo estos comportamientoslímites, sino también los intermedios, pertenecen ala misma clase de universalidad, descripta por unaley de escala. Mostramos también que la distribu-ción de tamaño de islas tiene una forma autosimilar,que corresponde a una ley de escala dinámica, enlos límites en los que sólo una de las dos constan-tes de difusión es relevante; dicha ley se ve afectadacuando tanto DA y DB juegan un rol.