Estudio experimental y de primeros principios del semiconductor ZnO dopado con 181Hf/181Ta

E.L. MUÑOZ, D. RICHARD, L.A. ERRICO, P. D. EVERSHEIM, M. RENTERÍA

Rosario

Congreso; 94° Reunión Nacional de Física de la AFA; 2009

Asociación Física Argentina

En los últimos años, cálculos de primeros principios en el marco de la teoría de la Funcional Densidad (DFT) han sido aplicados con éxito al estudio de semiconductores dopados, permitiendo la descripción de interesantes propiedades estructurales y electrónicas en impurezas metálicas.El método ab initio Full-Potential Augmented Plane Wave plus local orbitals (FP-APW+lo) permite hoy uno de los cálculos más precisos del tensor gradiente de campo eléctrico (GCE) en impurezas, en particular, aquellas localizadas substitucionalmente en sitios de catión libres de defectos. Apartir de un estudio experimental-ab initio, las perturbaciones estructurales y electrónicas producidas por la inclusión de la impureza Ta en la red huésped pueden ser determinadas con gran precisión [ver , por ej., PRL89, 55503(2002) y PRB 67, 144104 (2003)]. En este trabajo presentamos resultados preliminares de experimentos PAC en el semiconductorZnO policristalino dopado con trazas (ppm) de iones 181Hf(181Ta), los cuales son discutidos a la luz de cálculos realizados con el método FP-APW+lo en monóxido de Zn dopado con impurezas Ta y en el marco del simple modelode cargas puntuales.