Adsorción de tioles sobre InP

JULIO ESTEBAN GAYONE , ESTEBAN A. SÁNCHEZ , OSCAR GRIZZI GUILLERMO BENÍTEZ , ALDO RUBERT , ROBERTO C. SALVAREZZA , BARBARA BLUM

Encuentro; X Encuentro CNEA de Superficies y Materiales Nanoestructurados; 2010

Los semiconductores III-V tienen aplicaciones en microelectrónica, debiendo protegerse la superficie ante la formación de un óxido espontáneo en aire. En encuentros anteriores hemos mostrado como, una monocapa autoensamblada de alcanotiol, que protege al GaAs del óxido, desorbe a temperaturas cercanas a laambiente. En este trabajo mostramos la adsorción de tioles sobre InP. Por XPS se ve que, luego de 1 mes a temperatura ambiente, aun esta adsorbida mas del 80% de la capa inicial. Mediante TOF-ISS estudiamos la adsorción desde fase vapor para dosis muy bajas y hasta saturación, y también la estabilidad del film con la temperatura, encontrándose que el pico de desorción térmica ocurre a temperaturas más altas que en GaAs(110), en buen acuerdo con los resultados de XPS.IX