Estudio teorico de adsorcion de ciclopenteno (c-C5H8) sobre Si(001) y sobre vacancias de dimeros de la superficie de Si(001)

ESTEFANIA GERMAN, IGNACIO LOPEZ-CORRAL, ALFREDO JUAN, GRACIELA BRIZUELA

Viña del Mar

Congreso; XXII Congreso Iberoamericano de Catalisis; 2010

Sociedad Chilena de Catálisis

En este estudio se analizo la geometria y las interacciones quimicas al adsorberse c-C5H8 sobre una superficie semiconductora: Si(001), por medio de calculos de teoria del funcional de la densidad (DFT). Se estudiaron loscambios en las interacciones atomicas y orbitales del sistema. Se consideraron dos casos, la adsorcion de ciclopenteno sobre una superficie limpia de Si(001) y sobre dimeros de la superficie. Las distancias promedios calculadas de los enlaces H-Si, -C-Si y =C-Si fueron de 1.59 Å, 1.83 Å y 1.57 Å respectivamente sobre vacancias de dimeros; y la distancia promedio del enlace =C-Si sobre dimeros Si-Si 1.65 Å. Tambien se estudio la densidad de estados (DOS) y las curvas de poblacion de solapamiento (OPDOS) para los enlaces C-C, C-Si, C-H y Si-Si. La contribucion principal que da lugar a la adsorcion en ambos casos es el doble enlace C=C y los atomos H de estos enlaces. La contribucion orbital incluye la participacion de los orbitales 2px, 2py y 2pz de los atomos de C, y de los orbitales 3px, 3py y 3pz de los atomos de Si.