Galio como elemento activador del Aluminio y de la aleación Aluminio-Zinc

D.O. FLAMINI; S.B. SAIDMAN

Tandil

Congreso; XIV Congreso Argentino de Fisicoquímica y Química Inorgánica; 2007

Asociación Argentina de Investigación Fisiscoquímica

En este trabajo se estudió el mecanismo de activación del Al y de la aleación Al?Zn producido por iones Ga3+ en solución 0.5 M NaCl (pH 2.5) a distintas temperaturas mediante el empleo de técnicas de polarización potenciodinámica, medidas de potencial de circuito abierto, estudios de espectroscopía de impedancia electroquímica y de microscopía electrónica de barrido. La presencia de Ga, tanto como aleante o depositado desde la solución electrolítica, provoca un desplazamiento del inicio del proceso de disolución de la aleación Al-Zn hacia potenciales muy negativos en solución de cloruro. Los diagramas de impedancia del Al así como los correspondientes a la aleación Al-Zn, registrados bajo condiciones de circuito abierto, muestran una disminución de la resistencia de polarización con el aumento de la concentración de los iones Ga3+. La deposición catódica de Ga sobre Al y sobre la aleación Al-Zn, origina un semicírculo capacitivo seguido a bajas frecuencias por una región casi lineal que forma un ángulo de aproximadamente 45º con el eje real, atribuible a un proceso de transferencia de masa. La aleación ternaria Al-Zn-Ga presenta un espectro de impedancia de similares características a las observadas para la aleación Al-Zn cuando sobre la misma se depositó Ga. La resistencia de polarización disminuye al aumentar la temperatura de la solución por encima del punto de fusión del Ga (29.3 ºC). Los resultados obtenidos permiten corroborar el mecanismo de activación que considera la formación de una amalgama superficial Ga-Al [1]. La concentración de Ga necesaria para la formación de dicha amalgama está garantizada por la presencia de Zn que origina una mayor acumulación de Ga en la interfase.3+ en solución 0.5 M NaCl (pH 2.5) a distintas temperaturas mediante el empleo de técnicas de polarización potenciodinámica, medidas de potencial de circuito abierto, estudios de espectroscopía de impedancia electroquímica y de microscopía electrónica de barrido. La presencia de Ga, tanto como aleante o depositado desde la solución electrolítica, provoca un desplazamiento del inicio del proceso de disolución de la aleación Al-Zn hacia potenciales muy negativos en solución de cloruro. Los diagramas de impedancia del Al así como los correspondientes a la aleación Al-Zn, registrados bajo condiciones de circuito abierto, muestran una disminución de la resistencia de polarización con el aumento de la concentración de los iones Ga3+. La deposición catódica de Ga sobre Al y sobre la aleación Al-Zn, origina un semicírculo capacitivo seguido a bajas frecuencias por una región casi lineal que forma un ángulo de aproximadamente 45º con el eje real, atribuible a un proceso de transferencia de masa. La aleación ternaria Al-Zn-Ga presenta un espectro de impedancia de similares características a las observadas para la aleación Al-Zn cuando sobre la misma se depositó Ga. La resistencia de polarización disminuye al aumentar la temperatura de la solución por encima del punto de fusión del Ga (29.3 ºC). Los resultados obtenidos permiten corroborar el mecanismo de activación que considera la formación de una amalgama superficial Ga-Al [1]. La concentración de Ga necesaria para la formación de dicha amalgama está garantizada por la presencia de Zn que origina una mayor acumulación de Ga en la interfase.3+. La deposición catódica de Ga sobre Al y sobre la aleación Al-Zn, origina un semicírculo capacitivo seguido a bajas frecuencias por una región casi lineal que forma un ángulo de aproximadamente 45º con el eje real, atribuible a un proceso de transferencia de masa. La aleación ternaria Al-Zn-Ga presenta un espectro de impedancia de similares características a las observadas para la aleación Al-Zn cuando sobre la misma se depositó Ga. La resistencia de polarización disminuye al aumentar la temperatura de la solución por encima del punto de fusión del Ga (29.3 ºC). Los resultados obtenidos permiten corroborar el mecanismo de activación que considera la formación de una amalgama superficial Ga-Al [1]. La concentración de Ga necesaria para la formación de dicha amalgama está garantizada por la presencia de Zn que origina una mayor acumulación de Ga en la interfase.