IFLP   13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Semiconductores basados en Zn dopados con Al mediante molienda mec´anica
Autor/es:
S.CINGOLANI; L.G.VALLUZZI; M.G.VALLUZZI; J.L.ALESSANDRINI; L.C. DAMONTE
Reunión:
Congreso; Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2015
Resumen:
Los semiconductors II-VI son de gran inter´es debido a sus potenciales aplicaciones como dispositivos fotovoltaicos,particularmente en celdas solares h´ıbridas. La eficiencia de estos dispositivos puede ser mejorada incrementandola densidad de portadores y los procesos interfaciales. Para lograr este objetivo el desarrollo de nuevosmateriales nanoestructurados constituye una excelente opci´on. Otra alternativa complementaria es proceder aldopado de los semiconductores con elementos de los grupos III o IV generando niveles donores o aceptores en labanda prohibida. Con este doble prop´osito en este trabajo presentamos la preparaci´on de polvos semiconductoresnano-estructurados basados en Zn dopados con Al mediante molienda mec´anica. Sin bien este procedimiento hademostrado ser altamente eficaz en la obtenci´on y dopaje de semiconductores nano-cristalinos, los polvos obtenidospresentan cierto grado de aglomeraci´on. A fin de conseguir un sistema de grano peque?no, disperso quepueda ser utilizado en dispositivos fotovoltaicos se procedi´o a la utilizaci´on de una variedad de surfactantes, tantodurante la molienda como en procesos posteriores. La caracterizaci´on estructural de los materiales obtenidos serealiz´o mediante difracci´on de rayos X (XRD) y microscop´ıa electr´onica de barrido (SEM). Mediante dispersi´onluz (DLS) se determin´o el grado de polidispersidad de las suspensiones obtenidas permitiendo evaluar el efecto decada surfactante utilizado.
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