IFLP   13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Gradiente de campo eléctrico y campos magnéticos de impurezas Cd localizadas en la superficie (001) y su entorno del semiconductor α-Al2O3
Autor/es:
DARRIBA G. N.; FACCIO R.; RENTERÍA R.
Lugar:
Tandil
Reunión:
Congreso; 99° Reunión Nacional de Física de la Asociación Física Argentina; 2014
Institución organizadora:
Asociación Física Argentina
Resumen:
En este trabajo presentamos un estudio basado en cálculos de primeros principios de la estructura electrónica  de impurezas Cd localizadas en la superficie del semiconductor alfa-Al2O3. Particularmente nos centramos en el origen de la interacción magnética que aparece cuando la impureza se acerca a la superficie. Para ello estudiamos las densidades de estados totales y parciales proyectadas sobre el Cd y sus oxígenos primeros vecinos, siempre en función de la profundidad de la impureza respecto a la superficie (001). Para llevar a cabo el estudio empleamos dos métodos con bases bien diferentes: el método Full-Potential Augmented Plane Wave plus local orbitals (FP-APW+lo), mediante la implementación del código WIEN2k, y una combinación lineal de orbitales atómicos localizados, implementado en el código SIESTA. La impureza Cd fue localizada en sitios sustitucionales de Al en la superficie (001) previamente reconstruida del alfa-Al2O3, y en función de la profundidad respecto de dicha superficie. Además de la aparición de una interacción magnética, la orientación del gradiente de campo eléctrico  (GCE) para la impureza localizada sobre la superficie es normal a ésta  y su módulo cuatro veces más grande que en el caso de impurezas Cd diluidas dentro del bulk, en acuerdo con la relación entre GCEs para átomos 111Cd localizados en las superficies y en el bulk, en  In y Cu metálico. Estas comparaciones demuestran la gran sensibilidad de las sondas 111Cd para estudiar éstas propiedades en alfa-Al2O3, en bulk y en superficie.
rds']