IFLP   13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Propiedades estructurales y electrónicas de impurezas Cd en la superficie (001) del semiconductor alpha-Al2O3
Autor/es:
GERMÁN NICOLÁS DARRIBA; RICARDO FACCIO; MARIO RENTERÍA
Lugar:
S.C. de Bariloche
Reunión:
Congreso; 98° Reunión Nacional de Física de la Asociación Física Argentina; 2013
Institución organizadora:
AFA
Resumen:
En este trabajo presentamos un estudio de las propiedades estructurales y electrónicas de impurezas Cd en la superficie (001) del semiconductor alfa-Al2O3. Las impurezas Cd se ubicaron en sitios sustitucionales del Al, para diferentes profundidades desde la superficie. Basados en los resultados exitosos reportados en [1], se empleó un doble abordaje ab initio/DFT empleando dos métodos de base diferentes, implementado en los códigos WIEN2k y SIESTA. Con el objetivo de reconstruir la superficie y encontrar la estructura de equilibrio luego de introducir la impureza, se calcularon en cada caso las posiciones de equilibrio con el código SIESTA y luego el tensor Gradiente de Campo Eléctrico (GCE) con el código WIEN2k utilizando la estructura optimizada anteriormente. El tensor GCE y la estructura local a la impureza fueron estudiadas en función de la profundidad desde la superficie. Como resultado general, se halló que para distancias mayores a 6 Å de la superficie el GCE y las distancias Cd-O convergen a los valores de bulk de impurezas Cd en alfa-Al2O3, tal como ocurre para los sitios Al en el caso de una superficie sin impurezas [1]. [1] G. N. Darriba, R. Faccio, and M. Rentería, Physica B 407, 3093 (2012).
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