IFLP   13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
?Funcional de Tran-Blaha Becke-Johnson aplicada al cálculo del gap de óxidos semiconductores."
Autor/es:
R. E: ALONSO; L. A. ERRICO; M. A. TAYLOR; E. PELTZER Y BLANCÁ
Lugar:
Montevideo
Reunión:
Congreso; XII Reunión de la SUF y 96 Reunión Nacional de la AFA; 2011
Resumen:
En las ´ultimas dos d´ecadas, las ecuaciones de Kohn-Sham [1] han sido ampliamente aplicados, en conjunto con la aproximaci´on de la densidad local (LDA) [2] o la aproximaci´on de gradiente generalizado (GGA) [3], al estudio de diversos problemas en Materia Condensada y F´ısica del estado Solido. La principal raz´on de este auge es que estas aproximaciones (semi)locales tiene un alto poder de predicci´on y brindan resultados que son lo suficientemente precisos para interpretar los datos experimentales. Otra ventaja importante de estas funcionales es que son computacionalmente econ´omicas, conducen a los c´alculos que son computacionalmente ?baratos?en comparaci´on con m´etodos m´as sofisticados. Sin embargo, la aplicaci´on de LDA y GGA tambi´en pueden dar lugar, en funci´on de los sistemas y las propiedades a estudiar, a resultados que est´an en mal acuerdo con el experimento. Por ejemplo, en general la banda prohibida (gap) de los semiconductores y aisladores, es subestimada o incluso ausente, es decir, se predice un err´oneo comportamiento met´alico. En 2010, Tran y Blaha [4] presentaron una modificacion simple del potencial originalmente propuesto por Becke y Jonson (MBJ, Ref. 5) y demostraron que para un gran n´umero de compuestos semicondutores y aisladores esta modificaci´on predice gaps con una precisi´on comparable a la de m´etodos que son, desde el punto de vista de la cantidad de recursos y tiempo de c´alculo, ´ordenes de magnitud mas costosos. En esta comunicaci´on vamos a estudiar la aplicaci´on de la funcional Tran y Blaha, (Ref. 3) a ´oxidos semiconductores y aisladores. Para esto hemos realizado c´alculos LDA y MBJ en un conjunto amplio de ´oxidos con gaps que van del orden de 1 eV hasta los 8 eV. Mostramos que MBJ predice anchos de la banda prohibida (gap) de semiconductores en muy buen acuerdo con los resultados experimentales, ?subsanando?el problema de la subestimaci´on del gap en c´alculos LDA.
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