IFLP   13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Cálculos ab initio de propiedades magnéticas y electrónicas en Yb2O3
Autor/es:
D. RICHARD; E.L. MUÑOZ; L.A. ERRICO; M. RENTERÍA
Lugar:
San Miguel de Tucumán
Reunión:
Encuentro; Sólidos 2011; 2011
Resumen:
<!-- /* Style Definitions */ p.MsoNormal, li.MsoNormal, div.MsoNormal {mso-style-parent:""; margin:0cm; margin-bottom:.0001pt; mso-pagination:widow-orphan; font-size:12.0pt; font-family:"Times New Roman"; mso-fareast-font-family:"Times New Roman";} @page Section1 {size:595.3pt 841.9pt; margin:70.85pt 3.0cm 70.85pt 3.0cm; mso-header-margin:35.4pt; mso-footer-margin:35.4pt; mso-paper-source:0;} div.Section1 {page:Section1;} --> Presentamos un estudio de primeros principios del semiconductor paramagnético de estructura bixbita Yb2O3. Los cálculos se realizaron mediante el método Full-Potential Augmented Plane Wave plus local orbitals (FP-APW+lo), en el marco de la Teoría de la Funcional Densidad (DFT), utilizando un término de Hubbard.   Primeros resultados predicen la presencia de campos magnéticos hiperfinos en los sitios catiónicos, los cuales junto con los valores obtenidos para el gradiente de campo eléctrico (GCE) en dichos sitios invitan a discutir acerca de una reinterpretación de los resultados experimentales de la literatura obtenidos utilizando Espectroscopía Mössbauer con distintos isótopos Yb [1].   Por último, presentamos una comparación de nuestros resultados ab initio con los calculados previamente según el modelo de cargas puntuales en Yb2O3, y con resultados experimentales obtenidos mediante la técnica de Correlaciones Angulares Perturbadas g-g Diferenciales en Tiempo en este semiconductor dopado con impurezas diluidas  111In/111Cd y 181Hf/181Ta [2-3], mostrando en forma global un muy buen acuerdo.   Referencias [1] K.-G. Plingen et al., Nucl. Phys. A 165, 97 (1970). [2] A. Bartos et al., Phys. Lett. A 157, 513 (1991). [3] A. F. Pasquevich et al., Phys. Rev. B 49, 14331 (1994).
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