INIFTA 05425
INSTITUTO DE INVESTIGACIONES FISICO-QUIMICAS TEORICAS Y APLICADAS
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Adsorción de tioles sobre InP
Autor/es:
. E. GAYONE; E. A. SÁNCHEZ; O. GRIZZI; G. A. BENITEZ; A. RUBERT; R.C. SALVAREZZA; B. BLUM
Lugar:
San Carlos de Bariloche
Reunión:
Workshop; X Encuentro CNEA Superficies y Materiales Nanoestructurados 2010; 2010
Institución organizadora:
Centro Atómico Bariloche, CNEA
Resumen:
Los semiconductores III-V tienen aplicaciones en microelectrónica, debiendo protegerse la superficie ante la formación de un óxido espontáneo en aire. En encuentros anteriores hemos mostrado como, una monocapa autoensamblada de alcanotiol, que protege al GaAs del óxido, desorbe a temperaturas cercanas a la ambiente. En este trabajo mostramos la adsorción de tioles sobre InP. Por XPS se ve que, luego de 1 mes a temperatura ambiente, aun esta adsorbida mas del 80% de la capa inicial. Mediante TOF-ISS estudiamos la adsorción desde fase vapor para dosis muy bajas y hasta saturación, y también la estabilidad del film con la temperatura, encontrándose que el pico de desorción térmica ocurre a temperaturas más altas que en GaAs(110), en buen acuerdo con los resultados de XPS.
